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砷化鎘（Cd3As2）是非層狀塊狀狄拉克半金屬晶體。Cd3As2 是屬于 II-V 族的簡并 n 型半導體，具有高載流子遷移率、低有效質(zhì)量和高度非拋物線導帶。這些*的量子特性已將 Cd3As2 晶體確立為研究其他傳統(tǒng)材料系統(tǒng)中不存在的量子效應的共同基礎。我們的 Cd3As2 晶體是使用 Bridgmann 生長技術(shù)在 3 個月內(nèi)使用 6N 純度粉末合成的。由于晶體中不存在缺陷，晶體具有高度結(jié)晶性，并且在空氣中表現(xiàn)出令人印象深刻的材料穩(wěn)定性。
Cd3As2量子晶體的性質(zhì)
| 樣本量 | 每個訂單最多包含 1 厘米大小的水晶 |
| 材料特性 | 狄拉克半金屬，外爾 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | I4 1 cd 空間群 |
| 晶胞參數(shù) | a=1.265 納米 c= 2.544 納米 |
| 生產(chǎn)方法 | 選擇性氣相生長 (SVG) |
| 其他特點 |
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